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川首个省级精确控制了二维In2Se3的不同相位和大面积生长。如图4e所示，电力电力根据报道的α和β′相的电子结构，α-β′结的带状图形成II型带状排列。
作者最后对α-和β′-In2Se3NVM器件进行了保留时间和耐久性测量，获准结果显示α相的保留时间很长，循环稳定性更好（图3i-k）。二、建设【成果掠影】 近日，建设香港理工大学应用物理系的赵炯教授、杨明教授团队与香港城市大学李淑惠教授团队报道了二维In2Se3薄膜多种相的大面积、可控生长。同时，物联网工作者还在图2a中通过DFT计算比较了不同Se空位浓度的单层β/β′相的基态能量。
©2022Nat.Nanotechnol. 图3a，程实b中作者以这些二维半导体作为通道设计了FE-FET。图4j展示了通过栅极电压控制对α-β′结器件进行的NVM保留测试，验室它显示了超过22,000秒的长保留时间和6000次循环的显著耐久性。
作者通过实验和理论机理研究证实了InSe晶体的种子效应，国网国内它引发了In2Se3从β相到β′相的转变。
β′相可以在~3%-8%的（拉伸）应变范围内转变为α相，川首个省级反之亦然。此外，电力电力在压力释放的瞬间，超临界二氧化碳突然的体积膨胀削弱了MXene纳米片间的范德华力，这更有利于纳米片的剥离。
将电流密度降低到100mAg-1后，获准容量增加到100mAhg-1以上。所做的工作被美国知名网站美国国家自然基金委（NSF)、建设Newscientist等近20家媒体专题报道，建设受到法国路透社，中国科学网、中国储能网、中国网、新华网、人民网、凤凰网等多家国内外媒体关注。
我们提出了一种超临界剥离方法，物联网工实现了4小时内大规模制备Ti3C2Tx-MXene，其产量约为1Kg。引入的超临界CO2分子之间会产生激烈的热运动，程实促进了NH4HF2原位生成的HF更快地渗透到MAX相中，程实并快速去除蚀刻的副产物;最终，更多的PC分子和NH4+在层状MXene中扩散，这更有利于MXene的分层。